CRF plasma 等離子清洗機

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    MPCVD中雙基片結(jié)構(gòu)對plasma設(shè)備的影響研究

    MPCVD中雙基片結(jié)構(gòu)對plasma設(shè)備的影響研究:
            天然金剛石有著高的硬度、熱膨脹系數(shù)、化學穩(wěn)定性能及其光學透過率等物理和化學性能,這些優(yōu)異性能,使得天然金剛石在許多領(lǐng)域都可以作為一種理想材料。例如可以用作電子束引出窗口、高頻高功率電子器件、高靈敏的表面聲學波濾波器、切削工具等。

    plasma設(shè)備


           CRF微波plasma設(shè)備化學氣相沉積(MPCVD)法制作天然金剛石開始,MPCVD法制作天然金剛石的優(yōu)勢變得非常顯著,當今世界高端的天然金剛石也幾乎全是通過MPCVD法制作而成,與其他生長方法相比,MPCVD法因有著無極放電、生長速率快、天然金剛石雜質(zhì)少等優(yōu)點,成為一種理想的生長天然金剛石的方法。
    近些年,MPCVD技術(shù)得到了較大進度,對天然金剛石沉積工藝參數(shù)影響的研究已經(jīng)趨于成熟,但對MPCVD裝置諧振腔的研究還有待進一步深人。微波諧振腔是MPCVD裝置中的關(guān)鍵部件,不一樣的微波諧振腔結(jié)構(gòu)會影響電場強度及分布,從而影響plasma設(shè)備等離子體狀態(tài),最終對天然金剛石沉積質(zhì)量和速率有相應影響。MPCVD裝置微波諧振腔的結(jié)構(gòu)研究對于天然金剛石生長方面是有著價值的。
           常見的MPCVD法生長天然金剛石所用的諧振腔有不銹鋼諧振腔式和石英鐘罩式,石英鐘罩式利于生長大面積的天然金剛石薄膜,但速率較慢且容易污染石英管,而不銹鋼諧振腔式設(shè)備則有著生長速率快的特點。


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